반도체 패키지 내 DAF 적용 범위와

반도체 패키지 내 DAF 적용 범위와 구조(사진=LG화학)LG화학이 기존 대비 두께를 절반 줄인 모바일 D램용 '접착필름(DAF)' 양산을 개시했다. 첨단 반도체 패키지의 경박단소 수요에 대한 대응으로, 모바일 D램 제조사 공급이 본격화됐다.3일 업계에 따르면 LG화학은 최근 5마이크로미터(㎛) 두께 DAF 양산을 시작했다. DAF는 반도체 칩과 칩, 또는 칩과 기판을 서로 접착하는 패키징 필수 소재다. LG화학은 지난 2022년 10㎛ 두께의 DAF를 양산했는데, 이번에 두께를 50% 줄여 초박형 DAF를 구현했다.DAF 두께 축소는 점점 얆아지는 반도체를 위해서다. 최근 메모리 고성능·고용량화에 따라 보다 많은 칩을 쌓으려는 수요가 커졌다. 한정된 공간에 여러 칩을 집적하려면 반도체 두께를 줄일 수 밖에 없다. LG화학 관계자는 “DAF를 개발할 초기에 반도체 웨이퍼 두께는 주로 130㎛ 수준이었는데, 최근에는 30㎛ 초반대까지 얇아졌다”고 설명했다. DAF 두께를 줄면 보다 얇은 반도체 패키징이 가능하다.반도체 두께가 얇아질 수록 패키징 공정에서 휨(워피지)·파손 등 결함 가능성도 커진다. 이를 해결하는 것이 DAF다. LG화학은 DAF의 탄성을 높여, 공정 중 반도체 훼손을 최소화하도록 했다. DAF 두께가 축소되면 그만큼 열 저항을 낮추는데 유리해 반도체 패키지의 방열 성능도 개선될 것으로 관측된다.모바일 D램용 5㎛ DAF 생산으로 반도체 패키징 소재 포트폴리오를 확대한 LG화학은 차세대 제품 개발에도 속도를 내고 있다. 낸드 플래시용 DAF가 대표적으로, 회사는 3㎛ 두께의 신제품을 개발하고 있다. 전 세대 5㎛와 견줘 두께를 한번 더 축소, 단수가 높아지는 낸드 플래시 메모리 시장에 대응할 방침이다. 이르면 올해 안에 양산에 돌입한다.인공지능(AI) 메모리로 꼽히는 고대역폭메모리(HBM) 시장도 적극 공략 중이다. D램을 수직으로 쌓아 구현하는 HBM은 사이 사이에 열압착 비전도성 접착필름(NCF) 혹은 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 접합 소재가 들어가는데, LG화학은 그 중 NCF를 개발하고 있다. 현재 고객사와 성능 평가를 진행하는 것으로 알려졌다. NCF는 삼성전자와 미국 마이크론이, MUF는 SK하이닉스가 채택한 소재다.LG화학 관계자는 “CoWoS 패키징에 적용되는 소재도 현재 평가를 하고 있다”며 “고객에 필요한 첨단 반도체 패키징용 소재를 다양하게 개발해 시장에 적기 대응할 예정”이라고 밝혔다. CowoS는 엔비디아 등 AI 가속기를 만드는 첨단 패키징 기술이다.LG화학 메모리용 DAF 양산 현황반도체 패키지 내 DAF 적용 범위와 구조(사진=LG화학)LG화학이 기존 대비 두께를 절반 줄인 모바일 D램용 '접착필름(DAF)' 양산을 개시했다. 첨단 반도체 패키지의 경박단소 수요에 대한 대응으로, 모바일 D램 제조사 공급이 본격화됐다.3일 업계에 따르면 LG화학은 최근 5마이크로미터(㎛) 두께 DAF 양산을 시작했다. DAF는 반도체 칩과 칩, 또는 칩과 기판을 서로 접착하는 패키징 필수 소재다. LG화학은 지난 2022년 10㎛ 두께의 DAF를 양산했는데, 이번에 두께를 50% 줄여 초박형 DAF를 구현했다.DAF 두께 축소는 점점 얆아지는 반도체를 위해서다. 최근 메모리 고성능·고용량화에 따라 보다 많은 칩을 쌓으려는 수요가 커졌다. 한정된 공간에 여러 칩을 집적하려면 반도체 두께를 줄일 수 밖에 없다. LG화학 관계자는 “DAF를 개발할 초기에 반도체 웨이퍼 두께는 주로 130㎛ 수준이었는데, 최근에는 30㎛ 초반대까지 얇아졌다”고 설명했다. DAF 두께를 줄면 보다 얇은 반도체 패키징이 가능하다.반도체 두께가 얇아질 수록 패키징 공정에서 휨(워피지)·파손 등 결함 가능성도 커진다. 이를 해결하는 것이 DAF다. LG화학은 DAF의 탄성을 높여, 공정 중 반도체 훼손을 최소화하도록 했다. DAF 두께가 축소되면 그만큼 열 저항을 낮추는데 유리해 반도체 패키지의 방열 성능도 개선될 것으로 관측된다.모바일 D램용 5㎛ DAF 생산으로 반도체 패키징 소재 포트폴리오를 확대한 LG화학은 차세대 제품 개발에도 속도를 내고 있다. 낸드 플래시용 DAF가 대표적으로, 회사는 3㎛ 두께의 신제품을 개발하고 있다. 전 세대 5㎛와 견줘 두께를 한번 더 축소, 단수가 높아지는 낸드 플래시 메모리 시장에 대응할 방침이다. 이르면 올해 안에 양산에 돌입한다.인공지능(AI) 메모리로 꼽히는 고대역폭메모리(HBM) 시장도 적극 공략 중이다. D램을 수직으로 쌓아 구현하는 HBM은 사이 사이에 열압착 비전도성 접착필름(NCF) 혹은 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 접합 소재가 들어가는데, LG화학은 그 중 NCF를 개발하고 있다. 현재 고객사와 성능 평가를 진행하는 것으로 알려졌다. NCF는 삼성전자와 미국 마이크론이, MUF는 SK하이닉스가 채택한 소재다.LG화학 관계자는 “CoWoS 패키징에 적용되는 소재도 현재 평가를 하고 있다”며 “고객에 필요한 첨단 반도체 패키징용 소재를 다양하게 개발해 시장에 적기 대응할 예정”이라고 밝혔다. CowoS는 엔비디아 등 AI 가속기를 만드는 첨단 패키징 기술이다.LG화학 메모리용 DAF 양산 현황

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